众所周知，最近关于芯片的话题很热，尤其是任何有关于国产芯片的好消息就更热了。而在近日，突然有一则消息刷屏了，那就是中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展。
要知道目前世界最强的台积电还只能生产7nm工艺的芯片，年还在5nm，而大陆最强的中芯国际还处在28nm的时候，这样的消息出来，自然能够引发极大的震撼的。
有人怀疑这是个假消息，但你没有看错，这是真的。是由中科院微电子所团队的殷华湘等人研究来的，但3nm晶体管和3nm芯片工艺是完全不同的同码事，大家不要混为一谈了。
我们知道芯片是由晶体管组成，7nm工艺的芯片就是指里面的晶体管大小是7nm，如果3nm工艺的芯片就是指里面的晶体管是3nm大小，目前已知硅原子大小约为0.22nm，科学家们预测芯片工艺的极限在1nm以上。
而我国科学家研究出来的3nm晶体管是指能够将晶体管的最小尺寸缩小到3nm了，这也确实是5nm之后的芯片技术，因为5nm之后生产芯片要能够将晶体管尺寸控制在5nm以下。
但研究出3nm晶体管这样的技术，却并不是指有技术或水平生产出这样的芯片出来，这中间是不能划等号的。因为3nm的芯片是由几十上百亿个3nm的晶体管来组成的，研究出这样的晶体管只是说理论上可以生产3nm的芯片了。
再则，目前还只是理论上，真的要实现这样的东西，还不知道要多少年，毕竟我年看到众多科技成果，从研究实现到真正量产，最慢的几十年也有。
芯片真的是个高端技术活，高投入，高门槛，周期长，从来没有捷径可走，都是一步一步，扎扎实实用钱堆出来的，这种突然发明一种技术，就帮助国产芯片从28nm跨到3nm，是不太可能的，大家冷静点。